Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * НПО "Орион", 111123 Москва, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Туннельные светодиоды на основе Si : (Er, O) смалыми временами нарастания электролюминесценции ионовEr3+ в режиме пробоя

Емельянов А.М., Соболев Н.А., Тришенков М.А., Хакуашев П.Е.

Емельянов А.М., Соболев Н.А., Тришенков М.А., Хакуашев П.Е. Туннельные светодиоды на основе Si : (Er, O) смалыми временами нарастания электролюминесценции ионовEr3+ в режиме пробоя // ФТП, 2000, том 34, выпуск 8, Стр. 965

Аннотация Изготовлены туннельные светодиоды на основе Si : (Er, O), в которых в режиме пробоя наблюдается минимальная из зарегистрированных постоянная времени нарастания интенсивности электролюминесценции ионов эрбия. Это обусловлено образованием Er-содержащих центров с эффективным сечением возбуждения ионов эрбия ~ 7· 10-16 см2 и временем жизни возбужденного состояния~ 17 мкс. Впервые при комнатной температуре измерено время жизни в первом возбужденном состоянии ионов эрбия после выключения обратного тока, связанное с оже-передачей энергии свободным электронам в электронейтральной области диода.