Профиль » Публикация
Опубликовано
2000-00-00
ОрганизацияСанкт-Петербургский государственный технический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Дислокационная природа туннельного избыточного тока в структурах GaAs--Ni, модифицированных лазерным излучением
Джаманбалин К.К., Дмитриев А.Г. Дислокационная природа туннельного избыточного тока в структурах GaAs--Ni, модифицированных лазерным излучением // ФТП, 2000, том 34, выпуск 8, Стр. 976
Аннотация
На основе анализа основных факторов импульсного воздействия лазерного излучения на образование точечных и линейных дефектов в кристаллах показано, что в условиях реального эксперимента концентрация образующихся собственных дефектов недостаточна, чтобы обеспечить многоступенчатое туннелирование электронов через широкий слой объемного заряда. На этом основании, а также на основании сходства в поведении туннельного избыточного тока в исследованных структурах при повторных облучениях с особенностями пластической деформации при повторных воздействиях сделан вывод об определяющей роли дислокаций в появлении туннельного избыточного тока.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален