Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияФизический институт им.П.Н.Лебедева Российской академии наук, 117924 Москва, Россия *ГНЦ РФ НПО "Орион", теоретический отдел, 111123 Москва, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Высокочастотные свойства лавинного умножения фотоносителей вструктурах сотрицательной обратной связью

Бурбаев Т.М., Курбатов В.А., Курочкин Н.Е., Холоднов В.А.

Бурбаев Т.М., Курбатов В.А., Курочкин Н.Е., Холоднов В.А. Высокочастотные свойства лавинного умножения фотоносителей вструктурах сотрицательной обратной связью // ФТП, 2000, том 34, выпуск 8, Стр. 1010

Аннотация Исследованы высокочастотные характеристики фоточувствительных лавинных структур Si--SiC. Показано, что их быстродействие существенно выше, чем быстродействие кремниевых лавинных фотодиодов. Проведен теоретический анализ высокочастотных свойств лавинных фотодиодов, получены аналитические выражения для произведения ширины полосы на коэффициент усиления. Показано, что для структур типа металл--диэлектрик--полупроводник с отрицательной обратной связью это произведение не является универсальным параметром, поскольку при высоких коэффициентах усиления эффективная величина отношения коэффициентов ударной ионизации различными типами носителей заряда в таких структурах оказывается существенно иной, чем в лавинных фотодиодах.