Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияБелорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, 220027 Минск, Белоруссия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Характеристики металлических одноэлектронных транзисторов на различных материалах

Абрамов И.И., Новик Е.Г.

Абрамов И.И., Новик Е.Г. Характеристики металлических одноэлектронных транзисторов на различных материалах // ФТП, 2000, том 34, выпуск 8, Стр. 1014

Аннотация Приведены результаты теоретического исследования предельных параметров (рабочей температуры, граничной частоты) и вольт-амперной характеристики одноэлектронных транзисторов на основе различных соединений металлов (Al/AlOx/Al, Al/SiO2/Al, Au/Al2O3/Au, Nb/Al2O3/Nb, Ti/TiOx/Ti, Cr/Cr2O3/Cr, Nb/NbOx/Nb). Сформулированы рекомендации по выбору материалоов и размеров структуры, которые могут использоваться на практике. Расчеты характеристик проводились с использованием созданного комплекса программ моделирования структур на эффекте одноэлектронного туннелирования SET-NANODEV по разработанным методике оценки предельных характеристик и двумерной численной модели металлического одноэлектронного транзистора.