Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние дозы имплантации ионов эрбия на характеристики (111)Si : Er : O-светодиодных структур, работающих в режиме пробоя p-n-перехода

Соболев Н.А., Емельянов А.М., Николаев Ю.А.

Соболев Н.А., Емельянов А.М., Николаев Ю.А. Влияние дозы имплантации ионов эрбия на характеристики (111)Si : Er : O-светодиодных структур, работающих в режиме пробоя p-n-перехода // ФТП, 2000, том 34, выпуск 9, Стр. 1069

Аннотация Исследованы характеристики Si : Er : O-светодиодных структур, изготовленных методом ионной имплантации на (111)-ориентированных монокристаллических подложках кремния и работающих в режимах как лавинного, так и туннельного пробоя p-n-перехода. Интенсивность электролюминесценции ионов Er3+ немонотонно зависит от концентрации введенных ионов редкоземельного элемента. В некоторых туннельных диодах обнаружен эффект возгорания интенсивности электролюминесценции ионов Er3+ при увеличении температуры.