Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Санкт-Петербургский государственный технический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Фотовольтаический эффект вгетероструктурах a-Si : H / n-InSe

Бекимбетов Р.Н., Николаев Ю.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И.

Бекимбетов Р.Н., Николаев Ю.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И. Фотовольтаический эффект вгетероструктурах a-Si : H / n-InSe // ФТП, 2000, том 34, выпуск 9, Стр. 1105

Аннотация Осаждением пленок a-Si : H на поверхность (001) монокристаллических пластин InSe, а также осаждением пленок чистого индия с их последующей селенизацией синтезированы пленки InSe на поверхности a-Si : H и выращены гетероструктуры в системе a-Si : H / InSe. Обнаружен и исследован фотовольтаический эффект для обоих типов гетероструктур. Сделан вывод о перспективах применения полученных гетероструктур в качестве широкополосных фотопреобразователей излучения.