Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

О механизме образования пористого кремния

Горячев Д.Н., Беляков Л.В., Сресели О.М.

Горячев Д.Н., Беляков Л.В., Сресели О.М. О механизме образования пористого кремния // ФТП, 2000, том 34, выпуск 9, Стр. 1130

Аннотация Предложен новый, рассматриваемый на качественном уровне, механизм зарождения и начальных стадий роста пор при образовании пористого кремния ( por-Si). При этом основное внимание уделено реакции взаимного обмена зарядами между ионамиSi2+, образующимися при электролитическом или химическом окислении исходного кремния (реакции диспропорционирования). Предлагаемый механизм в значительной степени устраняет многие противоречия, присущие ранее предложенным схемам образования por-Si, и, в частности, объясняет особенности морфологии por-Si, получаемого в различных экспериментальных условиях. Значительное внимание уделено влиянию освещения в этих процессах.