Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Перестраиваемый лазер на основе InAsSb/InAsSbP свысокой направленностью излучения вплоскости p-n-перехода

Астахова А.П., Данилова Т.Н., Именков А.Н., Колчанова Н.М., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П.

Астахова А.П., Данилова Т.Н., Именков А.Н., Колчанова Н.М., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П. Перестраиваемый лазер на основе InAsSb/InAsSbP свысокой направленностью излучения вплоскости p-n-перехода // ФТП, 2000, том 34, выпуск 9, Стр. 1142

Аннотация На основе двойной гетероструктуры InAsSb/InAsSbP созданы лазеры с большой толщиной активной области (3 мкм) и большой шириной резонатора (40 мкм) для получения высокой направленности излучения в плоскости p-n-перехода, работающие вблизи 3.3 мкм. Изучены спектры генерации и диаграммы направленности при различных токах. Линия лазерного излучения смещается с током на 24 Angstrem. Полуширина диаграммы направленности составляет 9o в плоскости p-n-перехода и 63o в плоскости, перпендикулярной плоскости p-n-перехода. Проведено сопоставление экспериментальных результатов направленности потока излучения с теоретически ожидаемым для случая возникновения в резонаторе двух синфазных потоков с одинаковой амплитудой.