Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияНижегородский государственный университет им. Н.И.Лобачевского, Институт физики микроструктур Российской академии наук, 603600 Нижний Новгород, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Оценка перемешивания состава в окрестности границ гетероэпитаксиальных структур Si(Ge) / Si1-xGex, выращиваемых методом молекулярнo-пучковой эпитаксии с комбинированными источниками Si и GeH4

Орлов Л.К., Ивина Н.Л., Потапов А.В.

Орлов Л.К., Ивина Н.Л., Потапов А.В. Оценка перемешивания состава в окрестности границ гетероэпитаксиальных структур Si(Ge) / Si1-xGex, выращиваемых методом молекулярнo-пучковой эпитаксии с комбинированными источниками Si и GeH4 // ФТП, 2000, том 34, выпуск 10, Стр. 1153

Аннотация Рассмотрены основные причины диффузионного расплывания состава твердого раствора в окрестности границ Si транспортного канала в гетероструктуре Si / Si1-xGex, выращиваемой комбинированным методом молекулярно-пучковой эпитаксии с твердофазным (Si) и газофазным (GeH4) источниками. Для выращенных структур проведено сопоставление роли различных механизмов в формировании профиля металлургической границы слоя и оценено влияние расплывания границ канала на величину подвижности двумерных электронов в нем.