Профиль » Публикация

Аннотация Представлены результаты исследования границы раздела германий--нитрид германия (Ge--Ge3N4) методом вольт-фарадных характеристик при облучении структуры фотонами разной энергии. Примененная методика позволила определить уровни ловушек в нитриде германия, глубина залегания этих уровней составляет 0.75, 0.89 и 3.0 эВ. При исследовании токопрохождения через структуру Ge--Ge3N4 найдено два уровня в Ge3N4 с глубиной залегания 0.75 и 0.87 эВ.