Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияСанкт-Петербургский государственный технический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия *Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Искусственно анизотропный термоэлектрический материал с полупроводниковыми и сверхпроводящими слоями

Пшенай-Северин Д.А., Равич Ю.И., Ведерников М.В.

Пшенай-Северин Д.А., Равич Ю.И., Ведерников М.В. Искусственно анизотропный термоэлектрический материал с полупроводниковыми и сверхпроводящими слоями // ФТП, 2000, том 34, выпуск 10, Стр. 1265

Аннотация Произведен расчет термоэлектрических характеристик искусственно анизотропного материала, состоящего из полупроводниковых и сверхпроводящих слоев. Вычисляются поперечная термоэлектрическая добротность и чувствительность датчика малых тепловых потоков. Показано, что использование прослоек из высокотемпературного сверхпроводника существенно изменяет условия оптимизации геометрических параметров слоистой структуры (угла наклона слоев и отношения их толщин) по сравнению с нормальными проводниками. Термоэлектрическая добротность и чувствительность термоэлементов приготовленных из материала со сверхпроводящими прослойками, в 2--3раза превышает соответствующие параметры структуры со слоями из металла.