Профиль » Публикация
Опубликовано
2000-00-00
ОрганизацияИнститут физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия *Исследовательский центр, Юлих, Германия
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Кремний-германиевые наноструктуры сквантовыми точками: механизмы образования иэлектрические свойства
Пчеляков О.П., Болховитянов Ю.Б., Двуреченский А.В., Соколов Л.В., Никифоров А.И., Якимов А.И., Фойхтлендер Б. Кремний-германиевые наноструктуры сквантовыми точками: механизмы образования иэлектрические свойства // ФТП, 2000, том 34, выпуск 11, Стр. 1281
Аннотация
На основе анализа публикаций последних лет для системы Ge-на-Si приводятся устоявшиеся представления о механизмах образования германиевых островков нанометровых размеров. Упругие деформации в эпитаксиальных пленках и трехмерных островкахGe наSi являются ключевым фактором, обуcловливающим не только морфологический переход <планарная пленка>--<островковая пленка> (механизм Странского--Крастанова), но и влияют на последующие этапы эволюции островков, включая их форму, размер и пространственное распределение. Во многих случаях этот фактор существенно модифицирует классические механизмы фазообразования и их последовательность вплоть до квазиравновесного сосуществования трехмерных наноостровковGe на поверхности подложкиSi. Обсуждаются пути улучшения степени упорядочения наноостровков и достижения предельно малых размеров и большой плотности их распределения по площади. Вработе приводятся литературные данные по поглощению света в многослойных системах Ge--Si с квантовыми точками, свидетельствующие об аномально большом сечении внутризонного поглощения, что делает представляемый класс наноструктур перспективным для создания фотоприемников инфракрасного диапазона. Представлены оригинальные исследования электрических и оптических свойств гетероструктур с квантовыми точкамиGe, синтезированных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложкахSi.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален