Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия *Московский государственный технологический университет "Станкин", 101472 Москва, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Нанорельеф поверхности GaN: влияние сульфидной обработки

Бессолов В.Н., Жиляев Ю.В., Заварин Е.Е., Компан М.Е., Коненкова Е.В., Усиков А.С., Федирко В.А.

Бессолов В.Н., Жиляев Ю.В., Заварин Е.Е., Компан М.Е., Коненкова Е.В., Усиков А.С., Федирко В.А. Нанорельеф поверхности GaN: влияние сульфидной обработки // ФТП, 2000, том 34, выпуск 11, Стр. 1353

Аннотация Атомно-силовая микроскопия и фотолюминесценция использованы для изучения нанорельефа поверхности GaN(0001), обработанной в растворах сульфида натрия. Показано, что после сульфидной обработки мелкомасштабный рельеф поверхности слоя существенно сглаживается.