Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия *Физико-технический институт Академии наук Туркменистана, 744000 Ашхабад, Туркменистан ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Дислокационное происхождение имодель избыточно-туннельного тока в p-n-структурах наоснове GaP

Евстропов В.В., Джумаева М., Жиляев Ю.В., Назаров Н., Ситникова А.А., Федоров Л.М.

Евстропов В.В., Джумаева М., Жиляев Ю.В., Назаров Н., Ситникова А.А., Федоров Л.М. Дислокационное происхождение имодель избыточно-туннельного тока в p-n-структурах наоснове GaP // ФТП, 2000, том 34, выпуск 11, Стр. 1357

Аннотация Исследован избыточно-туннельный ток в эпитаксиальных невырожденных p-n-переходах из GaP на подложках GaP и Si. Обнаружен существенный экспериментальный факт--- независимость наклона экспоненциальной вольт-амперной (I-V) характеристики (в координатах ln I-V) от ширины области пространственного заряда, т. е. от уровня легирования n- и p-областей, что не объясняется существующими моделями. Предложена модель дислокационного шунта: многопрыжковое туннелирование по дислокационной линии, представленной цепочкой параболических барьеров. Плотность дислокаций, вычисленная по этой модели, соответствует величине, определенной методом просвечивающей электронной микроскопии.