Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:
Опубликовать в блог:
Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"


Лазеры на основе двойных гетероструктур InAsSb/InAsSbP, излучающие вспектральной области3--4 мкм. ЧастьI
Данилова Т.Н., Именков А.Н., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П.
Данилова Т.Н., Именков А.Н., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П. Лазеры на основе двойных гетероструктур InAsSb/InAsSbP, излучающие вспектральной области3--4 мкм. ЧастьI // ФТП, 2000, том 34, выпуск 11, Стр. 1396
Аннотация Представлен обзор опубликованных нами сообщений о создании и исследовании лазеров на основе двойных гетероструктур InAsSb/InAsSbP, излучающих в области длин волн lambda=3-4 мкм, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии. В импульсном режиме получены максимальная рабочая температура 203 K, характеристическая температура 35 K, дифференциальная квантовая эффективность 20± 5%. Лазеры меза-полосковой геометрии с шириной полоска 10--30 мкм и длиной резонатора 200--500 мкм работают в непрерывном режиме до 110 K. Общая оптическая выходная мощность лазеров, работающих на постоянном токе, больше 10 мВт при температуре 82 K (lambda=3.6 мкм), и мощность, приходящаяся на одну моду, ограничивается величиной 2 мВт на одну поверхность. Достигается одномодовый режим генерации излучения в интервале температур 12--90 K.

Комментарии

Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален