Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия *J.Heyrovsky Institute of Physical Chemistry, CAS, 18223 Prague8, Czech Republic ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Уширение линии генерации вперестраиваемых током лазерах наоснове гетероструктур InAsSbP/InAsSb/InAsSbP

Именков А.Н., Колчанова Н.М., Кубат Р., Цивиш С., Яковлев Ю.П.

Именков А.Н., Колчанова Н.М., Кубат Р., Цивиш С., Яковлев Ю.П. Уширение линии генерации вперестраиваемых током лазерах наоснове гетероструктур InAsSbP/InAsSb/InAsSbP // ФТП, 2000, том 34, выпуск 12, Стр. 1468

Аннотация Изучена токовая зависимость ширины линии излучения перестрaиваемых лазерных диодов на основе двойной гетероструктуры InAsSbP/InAsSb/InAsSbP, работающих в спектральном диапазоне 3.3-3.4 мкм в интервале температур 50-80 K. Показано, что при небольших превышениях инжекционного токаI над пороговым значением Ith ширина линии излучения гиперболически зависит от разности I-Ith в соответствии с теориями Шавлова--Tаунса и Генри, учитывающими однородное распределение неравновесных носителей заряда по ширине волновода. При увеличении тока до(3-4)Ith линия перестает сужаться и начинает уширяться с ростом тока. Наблюдаемое уширение линии излучения объяснено наличием градиента концентрации неравновесных носителей заряда от середины к краям волновода и увеличением этого градиента с током в перестраиваемых лазерах при одновременном уменьшении длины волны излучения. Минимальная ширина линии генерации составляет 10-20 МГц.