Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2001-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт Академии наук Республики Узбекистан, 700084 Ташкент, Узбекистан ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Туннельно-избыточные токи в гетероструктурах p- Si-n-3C-SiC

Каражанов С.Ж., Атабаев И.Г., Салиев Т.М., Канаки Э.В., Джаксимов Е.

Каражанов С.Ж., Атабаев И.Г., Салиев Т.М., Канаки Э.В., Джаксимов Е. Туннельно-избыточные токи в гетероструктурах p- Si-n-3C-SiC // ФТП, 2001, том 35, выпуск 1, Стр. 75

Аннотация Сделана попытка интерпретации вольт-амперной характеристики гетероструктуры p-Si-n-SiC в рамках туннельно-избыточного механизма. Проведена оценка ширины области объемного зарядаW и длины туннелированияlambda. Показано, что W>> lambda и, несмотря на это, транспорт тока через исследуемую гетероструктуру подчиняется туннельному механизму. Найдены характеристическая энергия туннелирования varepsilon=57 мэВ, температурный коэффициент тока насыщения и коэффициент разреженности барьера.