Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2001-00-00 ОрганизацияИнститут физики прочности иматериаловедения Сибирского отделения Российской академии наук, 634021 Томск, Россия *Сибирский физико-технический институт, 634050 Томск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние серы иселена нарельеф поверхности диэлектрических пленок иэлектрические характеристики структур металл--диэлектрик--p-GaAs

Панин А.В., Шугуров А.Р., Калыгина В.М.

Панин А.В., Шугуров А.Р., Калыгина В.М. Влияние серы иселена нарельеф поверхности диэлектрических пленок иэлектрические характеристики структур металл--диэлектрик--p-GaAs // ФТП, 2001, том 35, выпуск 1, Стр. 78

Аннотация Исследовано влияние атомов серы и селена на морфологию поверхности диэлектрических слоев, нанесенных на поверхность GaAs подложки. Показано, что введение халькогенов в приповерхностную область полупроводника приводит к выравниванию рельефа поверхности диэлектрических пленок. Одновременно наблюдается снижение плотности поверхностных состояний на границе раздела диэлектрик--p-GaAs. Результат действия атомов серы и селена зависит от материала диэлектрика.