Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2001-00-00 ОрганизацияВильнюсский педагогический университет, LT-2034 Вильнюс, Литва ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Механизм обратного тока в диодах с барьером Шоттки Al/p-InP

Пипинис П.А., Римейка А.К., Лапейка В.А., Пипинене А.В.

Пипинис П.А., Римейка А.К., Лапейка В.А., Пипинене А.В. Механизм обратного тока в диодах с барьером Шоттки Al/p-InP // ФТП, 2001, том 35, выпуск 2, Стр. 188

Аннотация Измерены зависимости тока от напряжения обратного смещения и температуры диодов Шоттки Al/p-InP, изготовленных на эпитаксиальных слоях фосфида индия, легированного цинком. Обратный ток обладает явно выраженной температурной зависимостью с энергией активации 0.75 эВ в высокотемпературной области и 0.51 эВ при температурах