Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2001-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Исследование изменения химического состава поверхности образцов CdxHg1-xTe приобработке вактивированных высокочастотным разрядом газах N2O иH2

Васильев В.В., Захарьяш Т.И., Кеслер В.Г., Парм И.О., Соловьев А.П.

Васильев В.В., Захарьяш Т.И., Кеслер В.Г., Парм И.О., Соловьев А.П. Исследование изменения химического состава поверхности образцов CdxHg1-xTe приобработке вактивированных высокочастотным разрядом газах N2O иH2 // ФТП, 2001, том 35, выпуск 2, Стр. 203

Аннотация Исследовано изменение химического состава поверхности CdxHg1-xTe при обработке атомарными пучками кислорода и водорода, полученными методом электронного удара в высокочастотной плазме N2O иH2. Показано, что последовательное воздействие пучков атомарного кислорода и водорода приводит к удалению с поверхности образцов углеродосодержащих соединений, слоя собственного оксида и теллура в элементном состоянии.