Профиль » Публикация

Аннотация Представлены результаты фотолюминесцентных исследований самоорганизующихся наноразмерных кластеров (квантовых точек) InP в матрице In0.49Ga0.51P, выращенных на подложке GaAs методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений. Получены зависимости эффективности люминесценции от температуры в интервале 77-300 K и от уровня возбуждения при мощности накачки 0.01-5 кВт/см2. Спектры фотолюминесценции являются суперпозицией излучения квантовых точек и смачивающего слоя. Соотношение их интенсивности зависит от мощности накачки и температуры, а длина волны излучения структуры изменяется в пределах 0.65--0.73 мкм. При низком уровне возбуждения и 77 K квантовые точки InP имеют высокую температурную стабильность длины волны излучения и высокую квантовую эффективность.