Профиль » Публикация
Опубликовано
2001-00-00
ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Инфракрасные светодиоды соптическим возбуждением наоснове InGaAs(Sb)
Зотова Н.В., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Талалакин Г.Н., Шустов В.В. Инфракрасные светодиоды соптическим возбуждением наоснове InGaAs(Sb) // ФТП, 2001, том 35, выпуск 3, Стр. 371
Аннотация
Приведены спектральные характеристики и мощность излучения светодиодов с длиной волны 3.1--3.6 мкм, изготовленных из структур, содержащих узкозонные слои InGaAs или InGaAsSb на подложке n+-InAs, в которых накачка осуществлялась с помощью светодиода из арсенида галлия. Получен коэффициент преобразования 90 мВт / А·см2, сравнимый с данными для инжекционных светодиодов.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален