Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2001-00-00 ОрганизацияКутаисский государственный университет им. Акакия Церетели, 384000 Кутаиси, Грузия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние рода и концентрации мелких примесей намикротвердость ифотомеханический эффект в полупроводниках

Герасимов А.Б., Чирадзе Г.Д.

Герасимов А.Б., Чирадзе Г.Д. Влияние рода и концентрации мелких примесей намикротвердость ифотомеханический эффект в полупроводниках // ФТП, 2001, том 35, выпуск 4, Стр. 385

Аннотация Приведены результаты исследования по влиянию типа и концентрации мелких примесей на микротвердость и фотомеханический эффект в монокристаллическом кремнии. Показано, что с увеличением концентрации мелких примесей уменьшается как темновая микротвердость, так и величина фотомеханического эффекта. При этом влияние акцепторных примесей сравнительно больше, чем донорных. Полученные данные объясняются на основе механизма, согласно которому за уменьшение микротвердости в полупроводниках ответственны свободные носители тока (антисвязывающие квазичастицы), которые образуются в соответствующих энергетических зонах.