Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2001-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Национальной академии наук Украины, 252028 Киев, Украина ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Лазерная эпитаксия гетероструктурHgCdTe/Si

Пляцко С.В., Бергуш Н.Н.

Пляцко С.В., Бергуш Н.Н. Лазерная эпитаксия гетероструктурHgCdTe/Si // ФТП, 2001, том 35, выпуск 4, Стр. 387

Аннотация Методом лазерного осаждения были получены тонкие пленкиHgCdTe на подложках изSi при температуре роста=<sssim 190oC. Результаты оже-спектроскопии, оптических и электрофизических исследований показали большую зависимость качества осаждаемых пленок от типа источника и качества подложекSi.