Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2001-00-00 ОрганизацияФедеральный научно-производственный центр "ГИПО", 420075 Казань, Россия *Казанский физико-технический институт Казанского научного центра Российской академии наук, 420029 Казань, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние импульсного лазерного отжига на параметры фоторезисторов наоснове CdxHg1-xTe

Рыжков В.Н., Ибрагимова М.И., Барышев Н.С.

Рыжков В.Н., Ибрагимова М.И., Барышев Н.С. Влияние импульсного лазерного отжига на параметры фоторезисторов наоснове CdxHg1-xTe // ФТП, 2001, том 35, выпуск 4, Стр. 464

Аннотация Исследовано влияние наносекундного импульсного излучения неодимового лазера (длительность импульсов tau=10 нс, длина волны lambda=1.06 мкм) при 300 K на параметры фоторезисторов на основе Cd0.19Hg0.81Te. Установлено, что при оптимальной величине плотности энергии W=0.2-0.3 Дж/см2 происходит плавление поверхности с образованием инверсного слоя толщиной 0.04--0.52 мкм; при этом наблюдается рост чувствительности и обнаружительной способности фоторезисторов. Дальнейшее увеличение плотности энергии W приводит к ухудшению параметров фоторезисторов и росту темнового сопротивления.