Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2001-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Фотодиоды на основе гетеропереходов IIтипа всистеме GaSb/InGaAsSb дляспектрального диапазона 1.5--4.8 мкм

Стоянов Н.Д., Михайлова М.П., Андрейчук О.В., Моисеев К.Д., Андреев И.А., Афраилов М.А., Яковлев Ю.П.

Стоянов Н.Д., Михайлова М.П., Андрейчук О.В., Моисеев К.Д., Андреев И.А., Афраилов М.А., Яковлев Ю.П. Фотодиоды на основе гетеропереходов IIтипа всистеме GaSb/InGaAsSb дляспектрального диапазона 1.5--4.8 мкм // ФТП, 2001, том 35, выпуск 4, Стр. 467

Аннотация Работа посвящена созданию и исследованию новых длинноволновых фотодиодов на основе гетеропереходов IIтипа в изопериодных системах GaSb/InGaAsSb/GaInAsSb и GaSb/InGaAsSb/AlGaAsSb, выращенных методом жидкофазной эпитаксии. Подбор последовательности широкозонных и узкозонных слоев в структурах позволяет варьировать условия на границах, характер зонной энергетической диаграммы и, как следствие, параметры фотодиодов. Проведены исследования электрических и фотоэлектрических характеристик и механизмов темнового тока. Выбрана оптимальная конструкция фотодиодной структуры, содержащей два разъединенных гетероперехода IIтипа и p-n-переход в узкозонной активной области. Получена величина обнаружительной способности при комнатной температуре на длине волны lambda=4.7 мкм D*lambda=4.1· 108 см·Гц1/2/Вт. Показана перспективность использования гетеропереходов IIтипа для создания высокоэффективных неохлаждаемых фотодиодов диапазона длин волн 1.6--4.8 мкм, необходимых для газового анализа, экологического мониторинга и контроля продуктов горения и взрывов.