Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2001-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия *Петербургский институт ядерной физики им.Б.П.Константинова Российской академии наук, 188350 Гатчина, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Радиационная стойкость SiC-детекторов ионов квоздействию релятивистских протонов

Иванов А.М., Строкан Н.Б., Давыдов Д.В., Савкина Н.С., Лебедев А.А., Миронов Ю.Т., Рябов Г.А., Иванов Е.М.

Иванов А.М., Строкан Н.Б., Давыдов Д.В., Савкина Н.С., Лебедев А.А., Миронов Ю.Т., Рябов Г.А., Иванов Е.М. Радиационная стойкость SiC-детекторов ионов квоздействию релятивистских протонов // ФТП, 2001, том 35, выпуск 4, Стр. 495

Аннотация Исследовались диоды Шоттки на основе эпитаксиальных пленок 6H-SiC. Структуры были подвержены облучению протонами с энергией 1000 МэВ дозой 3·1014 см-2. Воздействие высокоэнергетичных протонов изучалось при помощи прецизионной alpha-спектрометрии. Параметры глубоких уровней, вводимых протонами, измерялись методом нестационарной емкостной спектроскопии. Число вакансий, возникающих в треке протона, определялось по программе TRIM. Ширина области пространственного заряда и диффузионная длина для дырок определялись до и после облучения обработкой результатов по alpha-спектрометрии и емкостных измерений. Установлено незначительное изменение транспортных свойств заряда в детекторах на основе6H-SiC.