Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2001-00-00 ОрганизацияИнститут физической химии Российской академии наук, 117915 Москва, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Поликристаллические пленки нитрида галлия, выращенные магнетронным распылением

Блаут-Блачев А.Н.

Блаут-Блачев А.Н. Поликристаллические пленки нитрида галлия, выращенные магнетронным распылением // ФТП, 2001, том 35, выпуск 6, Стр. 718

Аннотация С помощью высокочастотного магнетронного распыления изготовлены поликристаллические пленки GaN на подложках из Si и поликора. Приложение отрицательного смещения при изготовлении повышает степень кристалличности пленок.