Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2001-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Национальной академии наук Украины, 03028 Киев, Украина ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Состояние поверхности поликристаллических слоевCdTe, облученных импульсным лазерным излучением

Байдуллаева А., Власенко А.И., Мозоль П.Е., Смирнов А.Б.

Байдуллаева А., Власенко А.И., Мозоль П.Е., Смирнов А.Б. Состояние поверхности поликристаллических слоевCdTe, облученных импульсным лазерным излучением // ФТП, 2001, том 35, выпуск 6, Стр. 745

Аннотация Исследованы оже-спектры, электронно-микроскопические изображения, карты-распределения химических элементов по поверхности поликристаллических слоевCdTe до и после облучения импульсами лазерного излучения модулированной добротности длительностью 2·10-8 с и плотностью энергии ниже порога разрушения или плавления материала. Показано, что лазерное облучение поликристаллических слоев: очищает поверхность от областей с диэлектрической фазой; приводит к модификации поверхности, сопровождающейся изменением стехиометрии на глубине~3 мкм. После удаления этого слоя происходит улучшение однородности поверхности поликристиллических слоев. Оценена глубина проникновения атомов углерода в поликристаллический слой. Показано влияние изменения стехиометрии поверхности после лазерного облучения на фотоэлектрические свойства поликристаллических слоевCdTe.