Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2001-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук,194021 Санкт-Петербург, Россия *Санкт-Петербургский государственный технический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Легирование полупроводников радиационными дефектами приоблучении протонами иalpha -частицами

Козлов В.А., Козловский В.В.

Козлов В.А., Козловский В.В. Легирование полупроводников радиационными дефектами приоблучении протонами иalpha -частицами // ФТП, 2001, том 35, выпуск 7, Стр. 769

Аннотация Выполнен анализ одного из современных направлений модифицирования полупроводников пучками протонов и alpha-частиц, осуществляемого путем контролируемого введения в полупроводник радиационных дефектов. Показано, что легирование полупроводников радиационными дефектами при облучении легкими ионами открывает новые возможности управления свойствами полупроводниковых материалов и создания приборов опто-, микро- и наноэлектроники на их основе по сравнению с традиционными методами легирования--- диффузионным, эпитаксиальным, ионно-имплантационным.