Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2001-00-00 ОрганизацияНаучно-исследовательский институт полупроводников (ГНПП НИИПП), 634045 Томск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Эффект баллистического переноса электронов вструктурах металл--n-GaAs--n+-GaAs сбарьером Шоттки

Торхов Н.А.

Торхов Н.А. Эффект баллистического переноса электронов вструктурах металл--n-GaAs--n+-GaAs сбарьером Шоттки // ФТП, 2001, том 35, выпуск 7, Стр. 823

Аннотация В предположении о баллистическом характере движения проведено исследование взаимодействия электрона с потенциалом, сформированным контактом металл--полупроводник с барьером Шоттки. Рассмотрены три случая взаимодействия электрона с барьерным потенциалом: сильное, слабое и надбарьерный перенос. Показано, что взаимодействие электрона с надбарьерной областью существенно влияет на процесс рассеяния во всех трех случаях, что отражается на поведении статических вольт-амперных характеристик. На основе предложенной модели было предсказано увеличение обратных токов при увеличении ширины тонкой (~ 0.35 мкм) базы диода, которое было проверено и подтверждено экспериментально. Получено, что увеличение обратного тока связано с увеличением влияния сильного электрического поля на движущиеся носители с ростом ширины тонкой базы.