Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2001-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Национальной академии наук Украины, 01028 Киев, Украина *Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Процессы токопереноса вn+ -p-фотодиодах наоснове HgCdTe

Гуменюк-Сычевская Ж.В., Сизов Ф.Ф., Овсюк В.Н., Васильев В.В., Есаев Д.Г.

Гуменюк-Сычевская Ж.В., Сизов Ф.Ф., Овсюк В.Н., Васильев В.В., Есаев Д.Г. Процессы токопереноса вn+ -p-фотодиодах наоснове HgCdTe // ФТП, 2001, том 35, выпуск 7, Стр. 835

Аннотация Показано, что темновые токи в важных в прикладном отношении (для микрофотоэлектроники инфракрасного спектрального диапазона 8-12 мкм) гомопереходах Hg1-xCdxTe (x~= 0.21) при температурах 77 K хорошо описываются уравнениями баланса с учетом двух основных механизмов токопереноса: туннелирования через ловушки в запрещенной зоне и рекомбинации через них. Остальные механизмы токопереноса включены в рассмотрение как аддитивные составляющие. Проведено сравнение экспериментальных вольт-амперных характеристик и динамического сопротивления диодов HgCdTe с расчетными зависимостями для них, используя в качестве подгоночных параметров концентрации доноров и акцепторов в n- и p-областях диодов, концентрацию и энергетическое положение ловушек в запрещенной зоне, а также времена жизни носителей на ловушках, и получено хорошее согласие между расчетными и экспериментальными результатами.