Профиль » Публикация
Опубликовано
2001-00-00
ОрганизацияИнститут физики полупроводников Национальной академии наук Украины, 03028 Киев, Украина
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Структурные превращения иобразование нанокристаллитов кремния впленкахSiOx
Братусь В.Я., Юхимчук В.А., Бережинский Л.И., Валах М.Я., Ворона И.П., Индутный И.З., Петренко Т.Т., Шепелявый П.Е., Янчук И.Б. Структурные превращения иобразование нанокристаллитов кремния впленкахSiOx // ФТП, 2001, том 35, выпуск 7, Стр. 854
Аннотация
Приведены результаты комплексного исследования методами инфракрасного поглощения, комбинационного рассеяния света, фотолюминесценции и электронного парамагнитного резонанса пленокSiOx, полученных термическим испарениемSiO в вакууме. Установлен характер структурных превращений, происходящих в процессе отжига пленок. Отжиг в интервале температур 300-600oC вызывает появление полосы фотолюминесценции650 нм, связанной, по-видимому, со структурными дефектами пленкиSiOx. Дальнейшее повышение температуры отжига приводит к залечиванию дефектов и затуханию полосы. Обнаружено, что преципитатыSi переходят из аморфного состояния в кристаллическое после отжига при1100oC, с чем связано возникновение новой полосы фотолюминесценции в области730 нм. Зарегистрированы спектры электронного парамагнитного резонанса Pb-центров на границах хаотически ориентированных нанокристаллитов кремнияиSiO2.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален