Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2001-00-00 ОрганизацияИнститут спектроскопии Российской академии наук, 142190 Троицк, Россия *Институт общей физики Российской академии наук, 117942 Москва, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Аномальная поляризация комбинационного рассеяния напоперечных ипродольных фононах впористом легированном полупроводникеGaAs

Денисов В.Н., Маврин Б.Н., Караванский В.А.

Денисов В.Н., Маврин Б.Н., Караванский В.А. Аномальная поляризация комбинационного рассеяния напоперечных ипродольных фононах впористом легированном полупроводникеGaAs // ФТП, 2001, том 35, выпуск 8, Стр. 987

Аннотация Исследованы спектры комбинационного рассеяния (100)-ориентированного пористого легированного кристаллаGaAs. Установлено, что излучение в спектрах плазмофононов как исходного, так и пористого кристаллов сильно поляризовано и не зависит от поляризации возбуждающего излучения. Сделан вывод о преимущественном фрелиховском вкладе в интенсивность спектра плазмофононов и об отсутствии влияния дефектов и многократного рассеяния на поляризацию рассеянного света в пористомGaAs. Обсуждается причина нарушения правил отбора в спектре пористого кристалла.