Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2001-00-00 ОрганизацияМосковский государственный университет им.М.В.Ломоносова, 119899 Москва, Россия * Philipps-Universitat Marburg, Fachbereich Physik, D-35032 Marburg, Germany &#36; Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербур ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние температуры нафотопроводимость икинетику ееспада вмикрокристаллическом кремнии

Казанский А.Г., Мелл Х., Теруков Е.И., Форш П.А.

Казанский А.Г., Мелл Х., Теруков Е.И., Форш П.А. Влияние температуры нафотопроводимость икинетику ееспада вмикрокристаллическом кремнии // ФТП, 2001, том 35, выпуск 8, Стр. 991

Аннотация Исследовано влияние температуры на стационарную фотопроводимость и релаксацию фотопроводимости после прекращения освещения в пленках слабо легированного бором микрокристаллического гидрированного кремния. Измерения проводились в области температур 150--430 K при облучении пленок квантами света с энергией 1.4 эВ. Из измерений стационарной фотопроводимости и ее релаксации получены температурные зависимости времени фотоответа и дрейфовой подвижности носителей в микрокристаллическом кремнии. Рассмотрены возможные механизмы переноса и рекомбинации носителей, определяющие изменение с температурой указанных параметров.