Профиль » Публикация
Опубликовано
2001-00-00
ОрганизацияНижегородский государственный университет, 603600 Нижний Новгород, Россия $Воронежский государственный университет, 394693 Воронеж, Россия
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Исследование электронной структуры аморфного кремния исилицина методом рентгеновской спектроскопии
Машин А.И., Хохлов А.Ф., Домашевская Э.П., Терехов В.А., Машин Н.И. Исследование электронной структуры аморфного кремния исилицина методом рентгеновской спектроскопии // ФТП, 2001, том 35, выпуск 8, Стр. 995
Аннотация
Методами рентгеновской и ультрамягкой рентгеновской спектроскопии были изучены эмиссионныеSiKbeta- иSiL23-спектры кристаллического кремния, аморфного гидрогенизированного кремния и силицина--- новой аллотропной формы кремния, представляющей собой линейные цепочки кремниевых атомов. Обнаружено, что SiL23-спектры силицина имеют не два, как кристаллический и аморфный кремний, а три максимума. Третий максимум наблюдается в высокоэнергетической части спектра вблизи95.7 эВ, его интенсивность составляет~75% от интенсивности главного максимума. Вкоротковолновой области SiKbeta-спектра также наблюдается дополнительный пик. Такие существенные различия в форме рентгеновских спектров аморфного кремния и силицина объясняются наличием сильной pi-составляющей химических связей атомов кремния в силицине.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален