Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2001-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Исследование процесса роста пленки Ge наповерхности Si (100) методом регистрирующей дифрактометрии

Никифоров А.И., Черепанов В.А., Пчеляков О.П.

Никифоров А.И., Черепанов В.А., Пчеляков О.П. Исследование процесса роста пленки Ge наповерхности Si (100) методом регистрирующей дифрактометрии // ФТП, 2001, том 35, выпуск 9, Стр. 1032

Аннотация Методом регистрации картины дифракции быстрых электронов in situ построена диаграмма структурного и морфологического состояния пленки Ge на поверхности Si (100), включающая в себя следующие области: сплошная пленка, hut- и dome-кластеры, dome-кластеры с дислокациями несоответствия на границе раздела. Впервые определено изменение параметров решетки пленки Ge в процессе ее роста на поверхности Si (100) при молекулярно-лучевой эпитаксии и обнаружены осцилляции изменения параметра поверхностной атомной ячейки в плоскости (100) на стадии двумерного слоевого роста.