Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2001-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Диффузия Cu почистой поверхности Si(111)

Долбак А.Е., Жачук Р.А., Ольшанецкий Б.З.

Долбак А.Е., Жачук Р.А., Ольшанецкий Б.З. Диффузия Cu почистой поверхности Si(111) // ФТП, 2001, том 35, выпуск 9, Стр. 1063

Аннотация Методами электронной оже-спектроскопии и дифракции медленных электронов исследована диффузия Cu по атомарно-чистой поверхности Si(111). Установлено, что в результате диффузии на поверхности кремния образуются концентрационные распределения меди с резкой границей и формируется поверхностная фаза Si(111)-"5x5"-Сu. Показано, что процесс переноса меди по поверхности Si(111) происходит путем твердофазного растекания, известного как механизм "развертывающегося ковра". Получена зависимость коэффициента поверхностной диффузии Cu на поверхности Si(111) от температуры, которая имеет вид DCu=104exp(-1.9/kT) см2/c.