Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2001-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Моделирование процессов эпитаксии, сублимации иотжига втрехмерном приповерхностном слое кремния

Зверев А.В., Неизвестный И.Г., Шварц Н.Л., Яновицкая З.Ш.

Зверев А.В., Неизвестный И.Г., Шварц Н.Л., Яновицкая З.Ш. Моделирование процессов эпитаксии, сублимации иотжига втрехмерном приповерхностном слое кремния // ФТП, 2001, том 35, выпуск 9, Стр. 1067

Аннотация Разработана модель Монте-Карло эпитаксии, сублимации и отжига на поверхности (111) алмазоподобного кристалла. Модель допускает существование нависающих структур и позволяет рассматривать поведение трехмерного приповерхностного слоя сложной конфигурации объемом до 107 атомных мест. Спомощью разработанной модели проведены исследования начальной стадии эпитаксиального роста на гладкой и пористой поверхностях, отжига ступенчатых и пористых поверхностей, а также рассмотрено влияние барьеров Швебеля на формирование компaктных трехмерных островков при эпитаксии в качестве одного из возможных кинетических механизмов образования квантовых точек. Исследовано поведение моноатомных ступеней на поверхностях (111) алмазоподобных кристаллов в процессе сублимации.