Профиль » Публикация
Опубликовано
2001-00-00
ОрганизацияИнститут физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Переходные характеристики МОП тиристоров, облученных электронами
Чернявский Е.В., Попов В.П., Пахмутов Ю.С., Красников Ю.И., Сафронов Л.Н. Переходные характеристики МОП тиристоров, облученных электронами // ФТП, 2001, том 35, выпуск 9, Стр. 1154
Аннотация
Представлены результаты разработки и изготовления МОП тиристоров. Изучены статические и динамические характеристики. Исследовано влияние облучения электронами на статические и динамические характеристики. Обнаружено, что облучение электронами существенно уменьшает время выключения МОП тиристора. Также наблюдалось увеличение плотности управляемого тока.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален