Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2001-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Некоторые аспекты газофазной эпитаксии карбида кремния

Зеленин В.В., Корогодский М.Л., Лебедев А.А.

Зеленин В.В., Корогодский М.Л., Лебедев А.А. Некоторые аспекты газофазной эпитаксии карбида кремния // ФТП, 2001, том 35, выпуск 10, Стр. 1169

Аннотация Проведен краткий сравнительный анализ эпитаксиальных технологий ростаSiC из газовой фазы. Отмечены две тенденции в использовании внутренней оснастки реакторов. Независимо от конструктивных особенностей и используемых активных газов параллельно с эпитаксиальным ростом идут химические реакции водорода с внутренней оснасткой реактора. Эти реакции контролируют реальное соотношение [C]/[Si] в газовой фазе и частично определяют фоновую концентрацию примеси в чистых эпитаксиальных слоях.