Профиль » Публикация
Опубликовано
2001-00-00
ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Особенности фотоэлектрических свойств наноструктурированных пленок гидрированного кремния
Голикова О.А., Казанин М.М. Особенности фотоэлектрических свойств наноструктурированных пленок гидрированного кремния // ФТП, 2001, том 35, выпуск 10, Стр. 1240
Аннотация
Исследованы наноструктурированные пленки Si, отличающиеся содержанием водорода и формами Si--H-связей, а также некоторыми характеристиками включений Si в аморфной матрице (объемная фракция, размер, структура). Определены свойства, общие для всех исследованных пленок, по сравнению с a-Si : H--- возрастание плотности дефектов и немонотонный рост фотопроводимости на "красном крыле" спектральной зависимости. В то же время имеются пленки как с повышенной, так и с пониженной фотопроводимостью по сравнению с a-Si : H.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален