Профиль » Публикация

Аннотация Представлены результаты численного расчета температурных зависимостей фотопроводимости a-Si : H p-типа. Расчеты были выполнены для простой рекомбинационной модели, учитывающей при низких температурах туннельную рекомбинацию между электронами, захваченными на состояния хвоста зоны проводимости, и дырками, захваченными на состояния хвоста валентной зоны. Результаты расчета согласуются с экспериментальными данными, согласно которым фотопроводимость a-Si : H p-типа слабо зависит от положения уровня Ферми и от полной концентрации оборванных связей. Проведенное компьютерное моделирование позволяет заключить, что возможной причиной такой слабой зависимости является разная "протяженность" хвостов валентной зоны и зоны проводимости. Показано, что в a-Si : H p-типа в условиях освещения статистика заполнения состояний в щели подвижности существенно отличается от равновесной.