Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2001-00-00 ОрганизацияИнститут физики микроструктур Российской академии наук, 603600 Нижний Новгород, Россия * Белорусский государственный университет, 220050 Минск, Белоруссия &#36; Научно-исследовательский физико-технический институт при Нижегородском государственном уни ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Генерация разностной моды вполупроводниковых лазерах

Алешкин В.Я., Афоненко А.А., Звонков Н.Б.

Алешкин В.Я., Афоненко А.А., Звонков Н.Б. Генерация разностной моды вполупроводниковых лазерах // ФТП, 2001, том 35, выпуск 10, Стр. 1256

Аннотация Рассмотрена нелинейная генерация разностной гармоники в инжекционном полупроводниковом лазере. Предложена конструкция лазера на основе гетероструктуры InGaP/GaAs/InGaAs, обеспечивающая генерацию двух лазерных мод в диапазоне1 мкм и разностной моды в диапазоне10 мкм. Показано, что в лазере с шириной волновода100 мкм при мощностях коротковолновых мод~ 10 Вт мощность разностной моды может достигать~ 10 мВт.