Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2001-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Мощные лазеры (lambda =3.3 мкм) наоснове двойных гетероструктур InGaAsSb(Gd) / InAsSbP

Айдаралиев М., Зотова Н.В., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Талалакин Г.Н.

Айдаралиев М., Зотова Н.В., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Талалакин Г.Н. Мощные лазеры (lambda =3.3 мкм) наоснове двойных гетероструктур InGaAsSb(Gd) / InAsSbP // ФТП, 2001, том 35, выпуск 10, Стр. 1261

Аннотация Влазерах на основе двойных гетероструктур InGaAsSb(Gd)/InAsSbP (lambda=3.3 мкм, T=77 K) мощность многомодовой генерации составила 1.56 Вт в импульсном режиме (длительность импульсаtau=30 мкс, частота f=500 Гц) и160 мВт в непрерывном режиме, мощность одномодовой генерации составила18.7 мВт в непрерывном режиме. Показано, что разогрев активной области приводит к сублинейности ватт-амперных характеристик лазеров с "длинными" резонаторами, в то время как насыщение мощности в лазерах с "короткими" резонаторами (L=140-300 мкм) вызвано в основном увеличением внутренних потерь.