Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2001-00-00 ОрганизацияВсероссийский научный центр "Государственный оптический институт им.С.И.Вавилова", 199034 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Физические основы реконструкции метастабильных примесных центров вполупроводниках

Онопко Д.Е., Рыскин А.И.

Онопко Д.Е., Рыскин А.И. Физические основы реконструкции метастабильных примесных центров вполупроводниках // ФТП, 2001, том 35, выпуск 11, Стр. 1281

Аннотация На основе анализа характера изменения электронной структуры и химической связи регулярного кристалла при легировании, а также при изменении зарядового состояния дефекта предложена общая картина перестройки метастабильных центров, донорных и акцепторных, в различных полупроводниках: "классических" полупроводниковых соединенияхIII--V и II--VI, преимущественно ионном кристалле CdF2 и узкозонных соединенияхIV--VI; выявлены причины, приводящие к реконструкции центра, установлены общие тенденции и специфика их проявлений для отдельных классов кристаллов и типов примесных центров.