Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:
Опубликовать в блог:
Опубликовано 2001-00-00 ОрганизацияСанк-Петербургский государственный электротехнический университет, 197376 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"


Модель высоко- инизкотемпературной диффузии фосфора вкремнии по дуальному парному механизму
Александров О.В.
Александров О.В. Модель высоко- инизкотемпературной диффузии фосфора вкремнии по дуальному парному механизму // ФТП, 2001, том 35, выпуск 11, Стр. 1289
Аннотация На основе дуального парного механизма разработана модель диффузии фосфора в кремнии, в которой вклад пар примесь--вакансияPV и примесь--<собственный межузельный атом (СМА)> PI учитывается непосредственно через коэффициент диффузии фосфора. Нарушение термодинамического равновесия по собственным точечным дефектам происходит вследствие диффузии нейтральных парPI. На высокотемпературной стадии диффузии, диффузия фосфора описывается одним уравнением с коэффициентом диффузии, зависящем как от локальной, так и от поверхностной концентрации фосфора, а на последующей--- более низкотемпературной стадии диффузии--- двумя уравнениями диффузии для суммарных концентраций фосфор- и СМА-содержащих компонентов. Аномально высокая скорость низкотемпературной диффузии обеспечивается избыточными СМА, запасенными в легированном слое во время предшествующей высокотемпературной диффузии. Модель позволяет количественно описать особенности диффузии фосфора в широком диапазоне поверхностных концентраций как при высоких (900--1100oC), так и при низких (500--700oC) температурах.

Комментарии

Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален