Профиль » Публикация

Аннотация Исходя из уравнения Пуассона рассмотрены особенности распределения объемного заряда, напряженности электрического поля и потенциала в p-n-переходе в узкозонном полупроводнике типа HgMnTe. Показано, что при сужении запрещенной зоны влияние свободных носителей приводит к тому, что зависимость напряженности электрического поля от координаты отклоняется от линейной, а потенциала--- от квадратичной. Вследствие этого, а также из-за значительного увеличения диффузионного потенциала в n+-p-переходе с вырожденной n+-областью, становятся своеобразными механизмы переноса заряда: зависимость рекомбинационного тока от напряжения отклоняется от обычно используемых аналитических выражений, а при больших напряжениях смещения доминирует диффузионный ток дырок из слабо легированной p-области в n+-область.