Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2001-00-00 ОрганизацияВоенная академия ракетных войск стратегического назначения им.Петра Великого, 103074 Москва, Россия * Научно-производственное объединение "Орион", 111123 Москва, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Ориентационная зависимость свойств поверхностных анодных окислов на CdxHg1-xTe

Средин В.Г., Мезин Ю.С., Укроженко В.М.

Средин В.Г., Мезин Ю.С., Укроженко В.М. Ориентационная зависимость свойств поверхностных анодных окислов на CdxHg1-xTe // ФТП, 2001, том 35, выпуск 11, Стр. 1335

Аннотация Методом электронной спектроскопии для химического анализа проведены исследования зависимости состава анодного окисла от ориентации поверхности кристаллов CdxHg1-xTe (x=0.19). Было обнаружено, что составы окислов на поверхностях кристалла с ориентацией (111) и (100) идентичны и плавно изменяются от подложки к внешней поверхности, в то время как окисел на поверхности с ориентацией (110) содержит прослойку неокисленного теллура. Этот результат коррелирует с некоторыми известными свойствами окислов CdxHg1-xTe.