Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2001-00-00 ОрганизацияЛьвовский национальный университет им. Ив.Франко, 79602 Львов, Украина ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Обратный ток варизонной p-n-структуры снемонотонной координатной зависимостью ширины запрещенной зоны

Соколовский Б.С.

Соколовский Б.С. Обратный ток варизонной p-n-структуры снемонотонной координатной зависимостью ширины запрещенной зоны // ФТП, 2001, том 35, выпуск 11, Стр. 1341

Аннотация Теоретически проанализированы особенности обратного тока варизонной p-n-cтруктуры, вкоторой ширина запрещенной зоны линейно возрастает сувеличением расстояния от металлургической границы. Показано, что за счет варизонности можно значительно уменьшить обратный ток p-n-перехода, связанный степловой генерацией носителей вбазовых областях структуры и на омических контактах. Предсказана возможность возникновения вслучае больших градиентов ширины запрещенной зоны на обратной ветви вольт-амперной характеристики участка сотрицательным дифференциальным сопротивлением.